报告地点：理学馆213
报告时间：2025年11月17日9:00--11:00
报告人：韩德栋
邀请人：刘远
内容简介：
氧化物薄膜晶体管的研究已经逐渐成为新型显示、集成电路等半导体技术领域的热门研究话题。以铟镓锌氧IGZO为代表的氧化物薄膜晶体管因具有低泄漏电流、高开关比、高迁移率以及低工艺制备温度等诸多优点得到国内外研究人员的广泛研究。近年来，我们开展了一系列基于原子层淀积ALD工艺研发制备高性能氧化物薄膜晶体管的工作。原子层淀积工艺能够在较低的工艺温度下制备出厚度可以控制到原子量级、大面积均匀、在三维结构上保型性良好的高质量薄膜，引起了研究人员的广泛关注。本文研究了柔性薄膜晶体管的制备工艺，可靠性测试；不同ALD工艺条件、后退火处理、器件结构等因素对氧化物薄膜晶体管的影响；优化工艺条件制备高性能氧化物薄膜晶体管；此外，还研究了氧化物薄膜晶体管的稳定性等。
报告人简介：
韩德栋：北京大学厕所偷拍
研究员，北京大学微电子学与固体电子学博士，日本庆应大学访问学者。主要研究方向：新型半导体材料及器件工艺。当前研究兴趣包括新型半导体材料；纳米级晶体管的工艺加工技术；新型显示和柔性电子技术研究等。负责与参加了国家973项目，国家重点研发计划项目，国家自然基金项目等十余项国家科研项目；与华为技术有限公司、京东方、华为海思、北京超弦存储器研究院等多家单位开展合作研发工作。获得深圳市技术发明奖一等奖、广东省科学技术奖二等奖、中国电子学会科技进步奖一等奖和教育部技术发明一等奖。已经发表科技论文一百余篇，申请发明专利一百余项。
